| C与Si重构表面碰撞过程的分子动力学模拟 |
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| 引用本文： | 于威,滕晓云,李晓苇,张连水,付广生. C与Si重构表面碰撞过程的分子动力学模拟[J]. 光电子．激光, 2001, 12(6): 578-581 |
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| 作者姓名： | 于威 滕晓云 李晓苇 张连水 付广生 |
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| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院, |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金资助项目 (100064) |
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| 摘 要： | 利用 Tersoff半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究了荷能 C原子与 Si(0 0 1) - (2× 1)重构表面碰撞动力学过程中入射 C原子能量随时间的变化情况 ,观察到了 C原子和表面 Si原子成键过程中 C原子的吸附、Si原子二聚键的打开、C原子的徙动以及 C、Si原子成键等物理过程 ,并对不同入射位置处入射 C原子和表面 Si原子碰撞过程中能量转移机理进行了分析。模拟结果表明 ,C原子相对于表面不同的局部构型发生不同的碰撞过程 ,而 C原子能量的提高有利于成键过程的发生 ,结果为 Si C在Si表面生长初期物理过程的认识提供了参考数据
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| 关 键 词： | 分子动力学 碳 硅 表面碰撞过程 |
| 文章编号： | 1005-0086(2001)06-0578-04 |
| 修稿时间： | 2000-12-22 |
Computer Simulations of the Interactions Between C Atom and Reconstructed Si Surface |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | molecule dynamics Si surface energetic C atom |
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