| 硅基PZT压电薄膜微开关的设计和制作 |
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| 引用本文： | 娄利飞,杨银堂,李跃进. 硅基PZT压电薄膜微开关的设计和制作[J]. 功能材料与器件学报, 2007, 13(6): 609-614 |
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| 作者姓名： | 娄利飞 杨银堂 李跃进 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学所/宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 武器装备预研基金 |
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| 摘 要： | 对硅基锆钛酸铅（PZT）压电薄膜微开关进行了结构和版图设计，根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点，获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件，对多孔硅的选择性生长进行了较为详细的实验研究，最后成功的制备出硅基PZT压电薄膜微开关样品，这对集成化芯片系统的进一步发展打下了必要的良好的实验基础。
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| 关 键 词： | 锆钛酸铅（PZT） 压电薄膜 微开关 多孔硅 |
| 文章编号： | 1007-4252(2007)06-0609-06 |
| 修稿时间： | 2006-12-30 |
Design and Fabrication of PZT Piezoelectric Thin Film Micro-switch based on Silicon |
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| LOU Li-fei,YANG Yin-tang,LI Yue-jin. Design and Fabrication of PZT Piezoelectric Thin Film Micro-switch based on Silicon[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2007, 13(6): 609-614 |
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| Authors: | LOU Li-fei YANG Yin-tang LI Yue-jin |
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