| 利用Ru缓冲层中V的添加提高Co_(0.85)W_(0.15)磁性薄膜的磁性能（英文） |
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| 作者姓名： | 王建军 高崇 叶凡 刘春明 |
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| 作者单位： | 东北大学材料各向异性与织构教育部重点实验室; |
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| 基金项目： | National Natural Science Foundation of China(50901016);the Fundamental Research Funds for the Central Universities(N110402002);the Scientific Research Foundation for Returned Scholars,Ministry of Education of China |
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| 摘 要： | 垂直磁记录材料需要高的磁晶各向异性能。尝试了通过改变缓冲层成分来产生晶格畸变以提高磁晶各向异性的方法。300℃下,利用直流磁控溅射设备在RuV缓冲层上沉积了Co0.85W0.15磁性薄膜,其中Ru缓冲层中添加15%V。利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的精细晶体结构,确定了薄膜的结构、取向关系、晶格常数、c轴分散性、fcc/hcp体积分数比和堆垛层错密度。根据实验结果,研究了Co0.85W0.15/Ru0.85V0.85/MgO(111)薄膜的晶体结构和磁晶各向异性能间的关系。实验结果表明,由于缓冲层中V的添加,晶格常数比降低,显著提高了Co0.85W0.15薄膜的磁晶各向异性。因此,可以通过缓冲层的成分设计实现不同磁性材料的磁晶各向异性。
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| 关 键 词： | Co-W磁性薄膜 直流磁控溅射 晶格常数比 磁晶各向异性能 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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