电化学合成聚吡咯—不同合成条件对聚吡咯特性及形态的影响 |
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引用本文: | 陈祥宝.电化学合成聚吡咯—不同合成条件对聚吡咯特性及形态的影响[J].材料工程,1992(Z1). |
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作者姓名: | 陈祥宝 |
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作者单位: | 北京航空材料研究所 |
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摘 要: | 一、前言 近十多年来,导电高聚物的研究一直得到人们的高度重视。许多研究表明,导电高聚物有希望作为新一代的电磁屏蔽材料、吸波材料、固体电介质、传导织物等使用。关于导电高聚物的研究,大部分工作集中在聚乙炔和聚吡咯。 聚吡咯是一种无定形高分子材料,它可以利用电化学或化学方法合成。一般来说,利用化学方法合成的聚吡咯呈粉末状,而利用电化学方法合成的聚吡咯则是硬而脆的薄膜。取决于不同的掺杂离子和掺杂水平,它的导电性可从10~(-6)到10~2s/cm。大量的研究表明,它的掺杂—反掺杂过程是一个准可逆过程。当在室温下、暴露于空气中时,它具有较高的化学稳定性。 为了适应不同的使用要求,聚吡咯可以被制备成粉末状、微纤状和薄膜状。利用不同的复合工艺,可以制备不同类型的聚吡咯导电复合材料。然而,尽管每年都有大量关于聚吡咯的研究,但关于合成条件对其性能及形态影响的研究却很少报道。事实上,这样的研究对聚吡咯的广泛应用是必要的。本文将介绍聚合电势、电介质及单体浓度对聚吡咯导电性及形态的影响。聚合电势、聚吡咯结构及导电性之间的关系也将详细讨论。
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