| InP(100)与(111)面的特征能量损失谱 |
| |
| 引用本文： | 侯晓远,俞鸣人,王迅.InP(100)与(111)面的特征能量损失谱[J].半导体学报,1984,5(2):171-177. |
| |
| 作者姓名： | 侯晓远 俞鸣人 王迅 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学现代物理研究所
(侯晓远，俞鸣人)，复旦大学现代物理研究所(王迅) |
| |
| 摘 要： | 用能量为300eV的入射电子测量了InP(100)与(111)面的电子能量损失谱,识别了能量损失为15.2eV的峰对应于InP的体等离子体损失,11.7eV和8.7eV 的两个峰分别由In的体和表面等离子体损失所引起.用费米能级以上1.8 eV和 4.0eV处存在两个空态.解释了19.3eV、20.2eV、22.7eV,3.8eV和 6.0eV 几个损失峰分别对应于从In 4d芯能级和价带到上述空态的跃迁.In的体和表面等离子体损失峰的存在说明表面形成了In岛.根据同纯In样品损失谱强度的比较,估计了表面In岛所占的面积.表面In岛是氩离子刻蚀所造成,经过退火,In岛所占面积缩小,但厚度增大.InP(100)表面形成的In岛比(111)表面更不易消除.
|
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
