| 无真空、低成本Mist-CVD外延制备高质量单晶NiO/Ga2O3 p-n异质结与器件(英文) |
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| 作者姓名： | 张泽雨林 宋庆文 刘丁赫 闫奕如 陈昊 穆昌根 陈大正 冯倩 张进成 张玉明 郝跃 张春福 |
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| 基金项目： | supported by the National Key R&D Program of China (2022YFB3605402 and 2021YFB3601800)；;the Fundamental Research Funds for the Central Universities；;the National Natural Science Foundation of China (62274132, 62004151, 62274126, and 62174123)；;the Natural Science Basic Research Program of Shaanxi (2021JC24)； |
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| 摘 要： | 在氧化镓(Ga2O3)材料p型掺杂困难的背景下,Ga2O3 p-n异质结器件在氧化镓器件的应用中起着重要作用.因此,寻找一种高效、经济的制备方法制备Ga2O3异质结对器件应用具有重要意义.在这项工作中,我们成功基于低成本、无真空的雾化学气相沉积(Mist-CVD)外延制备了单晶氧化镍(NiO)和β-Ga2O3异质结.其中,NiO(111)和β-Ga2O3(-201)的XRD摇摆曲线半高宽分别为0.077°和0.807°.NiO与β-Ga2O3之间的能带表现为Ⅱ型异质结构.基于此异质结,我们制备了准垂直器件,器件具有明显的p-n结整流特性,反向击穿电压为117 V.本工作为β-Ga2O3异质p-n结的制备提供了一种低成本、高质量的方法.
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