摘 要: | 采用水热法合成了沿[110]方向具有优先生长取向的α-Fe2O3纳米棒,设计了具有非易失性阻变开关性能的W/α-Fe2O3/FTO阻变存储器。对W/α-Fe2O3/FTO器件的阻变开关特性进行分析发现,W/α-Fe2O3/FTO阻变存储器的电阻比(RHRS/RLRS)在一个数量级以上,可保持100 s以上而无明显下降。此外,器件的载流子运输特性分别由LRS下的欧姆传导机制和HRS下的陷阱控制的空间电荷限制电流传导机制决定。由氧空位的迁移引起的纳米导电细丝的部分形成与断裂可以解释W/α-Fe2O3/FTO阻变存储器的非易失性阻变开关行为。因此,基于α-Fe2O3纳米棒的阻变存储器件可能是下一代非易失性存储应用的潜在候选器件。
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