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| 砷化镓场效应晶体管及其放大器的装架和封装技术 | |
| 引用本文： | James A.Turner,马振昌.砷化镓场效应晶体管及其放大器的装架和封装技术[J].微纳电子技术,1978(4). |
| 作者姓名： | James A.Turner 马振昌 |
| 摘 要： | X波段砷化镓场效应晶体管的问世,在装架和封装方面向器件和电路的设计制造者提出了许多问题。本文将叙述器件的封装技术,在混合微带电路中器件是如何装架和封装的,以及在砷,七镓上制作微波集成电路使这些问题可得到解决。器件的封装为了使砷化镓场效应晶体管能工作于微波频段,在晶体管栅上的有源区尺寸必须非常小。若想工作在10千兆赫甚至更高的频率,必须制作栅金属条宽度为1个微米的器件。图1是普莱赛公司制作的X波段砷化镓场效应晶体管的扫描电子显微镜照片。图中的栅条(在两个大面积欧姆接触源和漏压之间的区域)是用电子束光刻制作的。在目前,这种 |
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