| 阳极氧化铝作缓冲层的Si基GaN生长 |
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| 引用本文： | 陈鹏,江若琏,王军转,赵作明,梅永丰,沈波,张荣,吴兴龙,顾书林,郑有炓. 阳极氧化铝作缓冲层的Si基GaN生长[J]. 高技术通讯, 2002, 12(4): 52-54 |
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| 作者姓名： | 陈鹏 江若琏 王军转 赵作明 梅永丰 沈波 张荣 吴兴龙 顾书林 郑有炓 |
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| 作者单位： | 火斗,南京大学物理系,南京,210093;南京大学物理系,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家基础研究计划 (G2 0 0 0 0 6 83)，国家自然科学基金 ( 6 99870 0 1，6 9976 0 14，6 980 6 0 0 6 )资助项目 |
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| 摘 要： | 尝试了Si基上生长GaN外延层的一种新的缓冲层材料一阳极氧化铝，在Si（111）衬底上电子束蒸发铝膜，经阳极氧化后放入MOCVD系统中退火，然后进行GaN外延生长，对材料的微结构和电学性质进行了测量和分析，并将得到的GaN材料制备成光导型的紫外光电探测器，器件在330－380nm紫外光区域有明显的响应，最后响应度为3．5A／W（5V偏压）。
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| 关 键 词： | GaN 阳极氧化铝 缓冲层 紫外探测器 |
GaN Growth on Si Substrate Using Anodic Alumina as Buffer Layer |
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| Chen Peng,Jiang Ruolian,Wang Junzhuan,Zhao Zuoming,Mei Yongfeng,Shen Bo,Zhang Rong,Wu Xinglong,Gu Shulin,Zheng Youdou. GaN Growth on Si Substrate Using Anodic Alumina as Buffer Layer[J]. High Technology Letters, 2002, 12(4): 52-54 |
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| Authors: | Chen Peng Jiang Ruolian Wang Junzhuan Zhao Zuoming Mei Yongfeng Shen Bo Zhang Rong Wu Xinglong Gu Shulin Zheng Youdou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN Anodic alumina Buffer UV photodetector |
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