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| 新型低介低损耗BaTiSi2O7微波介质陶瓷研究 | |
| 引用本文： | 朱满康,管晓辉,吴兴轩,侯育冬,严辉.新型低介低损耗BaTiSi2O7微波介质陶瓷研究[J].稀有金属材料与工程,2013(Z1):189-192. |
| 作者姓名： | 朱满康 管晓辉 吴兴轩 侯育冬 严辉 |
| 作者单位： | 北京工业大学 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51172006) |
| 摘 要： | BaTiSi2O7具有独特的TiO5四方单锥,有利于抑制离子极化弛豫引起的介电损耗。采用传统氧化物混合法制备了BaTiSi2O7陶瓷。X射线衍射和Raman散射光谱分析表明,该陶瓷具有纯BaTiSi2O7相,其结构中含有TiO5四方单锥结构。同时,高频电学分析表明,随着烧结温度的增加,其相对介电常数在0.1kHz～1GHz频率范围内为8～10,介电损耗在10-4左右,有望作为低损耗微波介质材料。 |
| 关 键 词： | 微波介质陶瓷 BaTiSi2O7 介质损耗 |
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