| 插层Al2O3对氧化铪基忆阻器的性能优化及多值特性研究 |
| |
| 引用本文： | 谭翊鑫,何慧凯. 插层Al2O3对氧化铪基忆阻器的性能优化及多值特性研究[J]. 微电子学, 2023, 53(6): 1114-1124 |
| |
| 作者姓名： | 谭翊鑫 何慧凯 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技南湖研究院, 浙江 嘉兴 314001;中国科学技术大学 先进技术研究院, 合肥 230000 |
| |
| 基金项目： | 浙江省“领雁”研发攻关计划资助项目(2022C01098) |
| |
| 摘 要： | 近年来,氧化铪基忆阻器因其优异的阻变性能及与CMOS工艺兼容等特点而被广泛研究。然而,氧化铪基忆阻器仍存在以下问题:1) 器件良率、可靠性、均一性不足;2) Set和Reset 过程中电流突变,导致多值特性较差。为实现氧化铪基忆阻器的性能优化及多值特性,文章在HfO2表面生长一层1~5 nm Al2O3,构造Al2O3/HfO2双介质层忆阻器,并对HfO2和Al2O3的厚度进行优化,最终得到性能显著提升的Al2O3/HfO2双介质层多值忆阻器。该器件呈现出保持性良好的10个不同电阻态(1×104 s@85℃)。由于氧离子在Al2O3层的迁移率更低,限制了氧空位细丝生长速率及宽度,且Al2O3具有热增强作用,使氧空位分布更均匀,促使氧空位细丝生成/断裂过程由突变转为渐变。该工作为进一步实现氧化铪基忆阻器的性能优化及多值特性提供了参考。
|
| 关 键 词： | 忆阻器 氧化铪 氧化铝 多值特性 性能优化 |
| 收稿时间： | 2023-04-24 |
Research on Performance Optimization and Multi-Level Characteristics of HfO2-Based Memristor by Inserting Al2O3 |
| |
| TAN Yixin,HE Huikai. Research on Performance Optimization and Multi-Level Characteristics of HfO2-Based Memristor by Inserting Al2O3[J]. Microelectronics, 2023, 53(6): 1114-1124 |
| |
| Authors: | TAN Yixin HE Huikai |
| |
| Affiliation: | China NanHu Academy of Electronics and Information Technology, Jiaxing, Zhejiang 314001, P.R.China;Institute of Advanced Technology, University of Science and Technology of China, Hefei 230000, P.R.China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | memristor HfO2 Al2O3 multi-level characteristics performance optimization |
|
| 点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《微电子学》下载免费的PDF全文 |
|
