| 基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 李泽坤,陈继新,郑司斗,洪伟.基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器[J].红外与毫米波学报,2024,43(2):186-190. |
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| 作者姓名： | 李泽坤 陈继新 郑司斗 洪伟 |
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| 作者单位： | 东南大学 毫米波全国重点实验室，江苏 南京 210096,东南大学 毫米波全国重点实验室，江苏 南京 210096;紫金山实验室，江苏 南京 211111,东南大学 毫米波全国重点实验室，江苏 南京 210096,东南大学 毫米波全国重点实验室，江苏 南京 210096;紫金山实验室，江苏 南京 211111 |
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| 基金项目： | Supported by the National Natural Science Foundation of China （62188102） |
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| 摘 要： | 本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT）工艺，研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路，能够提供宽带射频接地，减小了级间串扰，利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配。实测结果显示，最大增益在108 GHz处达到20.4 dB，在66~112.5 GHz范围内，小信号增益为16.9~20.4 dB。在90 GHz处，实测噪声系数为3.9 dB。实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm。
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| 关 键 词： | 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 宽带 W波段 |
| 收稿时间： | 2023/6/20 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2024/3/1 0:00:00 |
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