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| 用PECVD法(SiH_4-N_2)体系制备氮化硅薄膜的工艺研究 | |
| 引用本文： | 蒋文清,周南生.用PECVD法(SiH_4-N_2)体系制备氮化硅薄膜的工艺研究[J].西安电子科技大学学报,1987(3). |
| 作者姓名： | 蒋文清 周南生 |
| 作者单位： | 西北电讯工程学院微电子研究所，西北电讯工程学院微电子研究所 |
| 摘 要： | 本文对(SiH_4-N_2)混合气体等离子体增强化学气相淀积氮化硅薄膜工艺进行了研究。对PD-300Ⅲ型低溫淀积台的性能进行了大量的试验且对生长的氮化硅薄膜进行了测试,确定出影响氮化硅薄膜性质的各个因数。采用正交实验的方法,找到了该台淀积过程的最佳工艺条件。研究了薄膜参数随工艺参数变化的情况,得到了一组在最佳工艺条件范围内的变化曲线。 |
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