| 单晶铋纳米线阵列的可控生长 |
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| 引用本文： | 李亮,李广海,张立德.单晶铋纳米线阵列的可控生长[J].功能材料,2004,35(Z1):3087-3089. |
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| 作者姓名： | 李亮 李广海 张立德 |
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| 作者单位： | 中国科学院,固体物理研究所,安徽,合肥,230031 |
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| 基金项目： | 国家重大基础研究"973"资助项目(1999064501) |
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| 摘 要： | 采用脉冲电化学沉积技术,利用同一直径的氧化铝模板,通过调节脉冲参数制备出了不同直径的单晶铋纳米线阵列,同时实现了纳米线取向的可控生长.保持脉冲弛豫时间不变,纳米线的直径随着脉冲沉积时间的增加而变大,纳米线的取向随着脉冲占空比的变化发生移动.
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| 关 键 词： | 铋 纳米线阵列 脉冲电沉积 氧化铝模板 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-3087-03 |
| 修稿时间： | 2004年2月19日 |
Controlled growth of single crystalline bismuth nanowire arrays |
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| LI Liang,LI Guang-hai,ZHANG Li-de.Controlled growth of single crystalline bismuth nanowire arrays[J].Journal of Functional Materials,2004,35(Z1):3087-3089. |
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| Authors: | LI Liang LI Guang-hai ZHANG Li-de |
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