| 氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究 |
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| 引用本文： | 宋朝瑞,程新红,张恩霞,邢玉梅,俞跃辉,郑志宏,沈勤我,张正选,王曦. 氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究[J]. 核技术, 2007, 30(8): 675-678 |
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| 作者姓名： | 宋朝瑞 程新红 张恩霞 邢玉梅 俞跃辉 郑志宏 沈勤我 张正选 王曦 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;温州大学物理系,温州,325000 |
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| 摘 要： | 本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2MIS电容结构。从微观角度探讨了氮元素对改进高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的作用机理。
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| 关 键 词： | 高kHfON介电薄膜 总剂量辐射 陷阱电荷 |
| 修稿时间： | 2006-09-12 |
Effects of nitrogen element on total-dose irradiation response of high-k Hf-based dielectric films |
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| SONG Zhaorui,CHENG Xinhong,ZHANG Enxia,XING Yumei,YU Yuehui,ZHENG Zhihong,SHEN Qinwo,ZHANG Zhengxuan,WANG Xi. Effects of nitrogen element on total-dose irradiation response of high-k Hf-based dielectric films[J]. Nuclear Techniques, 2007, 30(8): 675-678 |
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| Authors: | SONG Zhaorui CHENG Xinhong ZHANG Enxia XING Yumei YU Yuehui ZHENG Zhihong SHEN Qinwo ZHANG Zhengxuan WANG Xi |
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