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| LDD MOSFET工艺研究 | |
| 引用本文： | 师延进,赵军.LDD MOSFET工艺研究[J].微处理机,1991(2):21-27. |
| 作者姓名： | 师延进 赵军 |
| 作者单位： | 机械电子工业部东北微电子研究所，机械电子工业部东北微电子研究所 |
| 摘 要： | 一、引言为了提高 MOS 集成电路的工作速度和集成密度,以往多采用等比例缩小方法。然而当 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后,会出现一系列问题,如阈值电压降低、漏源穿通电压下降,热电子效应引起的阈值电压不稳定,二次碰撞电离产生的衬底电流等。降低氧化层厚度和减小结深,虽然可以使阈值电压和源漏穿通电压降低问题得到改善,但它 |
| 关 键 词： | LDD MOSFET 工艺 场效应管 |
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