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全集成片上低温漂振荡电路
引用本文:董方源,杨海钢,辛卫华,刘珂. 全集成片上低温漂振荡电路[J]. 微电子学, 2008, 38(6)
作者姓名:董方源  杨海钢  辛卫华  刘珂
作者单位:1. 中国科学院,电子学研究所,北京,100190;中国科学院,研究生院,北京,100039
2. 中国科学院,电子学研究所,北京,100190
摘    要:设计了一个全集成低温漂振荡电路,该电路通过将片上环形振荡器产生的振荡信号的频率转换为电压,并与片上基准电压源产生的基准电压进行比较,产生振荡器控制电压,实现稳定振荡器工作频率的目的.由于片上基准电压源和频率-电压转换电路具有较小的温度系数,振荡器的工作频率也具有较小的温度系数(140 ppm/℃).该电路无需从片外接收任何基准信号.另外,该设计具有对振荡器工作频率的负反馈调整机制,与单独的振荡器相比,输出信号的频率更加稳定,在0~100 ℃范围内,输出信号频率的变化小于1.35%.

关 键 词:环形振荡器  低温漂  基准电压

A Fully Integrated On-chip Oscillator with Low Temperature Drift
DONG Fang-yuan,YANG Hai-gang,XIN Wei-hua,LIU Ke. A Fully Integrated On-chip Oscillator with Low Temperature Drift[J]. Microelectronics, 2008, 38(6)
Authors:DONG Fang-yuan  YANG Hai-gang  XIN Wei-hua  LIU Ke
Affiliation:DONG Fangyuan~(1,2) YANG Haigang~1 XIN Weihua~1 LIU Ke~(1,2) (1.Institute of Electronics,the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,P.R.China,2.Graduate University of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039,P.R.China)
Abstract:
Keywords:Ring oscillator  Low temperature drift  Voltage reference  
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