| 脉冲偏压对电弧离子镀深管内壁沉积TiN薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 石昌仑,张敏,林国强. 脉冲偏压对电弧离子镀深管内壁沉积TiN薄膜的影响[J]. 真空科学与技术学报, 2007, 27(6): 517-521 |
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| 作者姓名： | 石昌仑 张敏 林国强 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024 |
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| 摘 要： | 用电弧离子镀设备,分别采用直流偏压和脉冲偏压的沉积工艺,在一端封口的50 mm×200 mm×5 mm的不锈钢深管内壁上沉积TiN薄膜,对薄膜的厚度、表面形貌、相结构、硬度和磨损性能等随管子深度的变化进行了对比测试.结果表明,两种工艺下薄膜的厚度、硬度以及耐磨性能都随管子的深度而下降,但与直流偏压相比,脉冲偏压能够提高薄膜厚度和硬度,减少大颗粒的尺寸和数量,提高耐磨性能;按照硬度不低于20 GPa的标准划分,脉冲偏压使镀膜深度提高了40%,即从直流偏压的50 mm提高到70 mm.
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| 关 键 词： | 电弧离子镀 TiN薄膜 管内壁 脉冲偏压 |
| 文章编号： | 1672-7126（2007）06-517-05 |
| 收稿时间： | 2007-01-22 |
| 修稿时间： | 2007-01-22 |
Effect of Pulsed Bias on TiN Film Deposition on Internal Wall of Deep Tubes by Arc Ion Plating |
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| Shi Changlun,Zhang Min,Lin Guoqiang. Effect of Pulsed Bias on TiN Film Deposition on Internal Wall of Deep Tubes by Arc Ion Plating[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2007, 27(6): 517-521 |
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| Authors: | Shi Changlun Zhang Min Lin Guoqiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Arc ion plating TiN film Internal wall of deep tube Pulsed bias |
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