|
|||||
|
|
| 基于InP DHBT工艺的140～220GHz单片集成放大器 | |
| 作者单位： | ;1.微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | <正>磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。国外已研制出基于InP DHBT工艺的220 GHz、200 mW单片集成功率放大器以及700 mW功率放大模块。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺研制出140~220 GHz单片集成放大器,该电路采用了功率增益截止频率(f_(max))超过500 GHz的InP DHBT器件,如图1所示。测试结果表明,该电路在140 GHz、200 GHz以及220 GHz的小信号 |