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| 短沟道三材料柱状围栅MOSFET的解析模型 | |
| 作者单位： | ;1.轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系 |
| 摘 要： | 在柱坐标系下利用电势的抛物线近似,求解二维泊松方程得到了短沟道三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的中心及表面电势。推导了器件阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型,分析了沟道直径、栅氧化层厚度和三栅长度比对阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的影响。利用Atlas对具有不同结构参数的器件进行了模拟研究和比较分析。结果表明,基于解析模型得到的计算值与模拟值一致,验证了所建模型的准确性,为设计和应用此类新型器件提供了理论基础。 |
| 关 键 词： | 三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管 表面势 阈值电压 亚阈值区电流 亚阈值摆幅 |
Analytical Models for Short Channel Triple-material Cylindrical Surrounding-gate MOSFETs |
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| Keywords: | |