|
|||||
|
|
| 双轴压应力Ge材料价带物理参量计算 | |
| 作者单位： | ;1.西藏民族学院信息工程学院 |
| 摘 要： | 应变Ge材料载流子迁移率高,且与硅工艺兼容,在硅基CMOS中的应用潜力大。能带结构是深入研究应变Ge材料基本属性,设计高速/高性能CMOS器件的重要理论依据。为此,本文采用结合形变势理论的kp微扰法,分析了(001)双轴压应力Ge材料价带结构、轻重空穴带Γ点能级及轻重空穴带间分裂能等价带物理参量与应力的理论关系,获得有实用价值的相关结论。 |
| 关 键 词： | 应变锗 价带 物理参量 |
Study of Physical Parameters for Valence Band in Biaxially Compressive Strained Ge Materials |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |