|
|||||
|
|
| 高平整度GaN HEMT欧姆接触工艺 | |
| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 研究了不同金属体系对GaN HEMT欧姆接触表面形貌、击穿电压的影响。研究了不同合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,通过对金属体系结构的优化改善了欧姆接触特性及形貌。采用Ti/Al/Pd/Au(10/200/40/50nm)金属,在750℃合金温度时,得到较低的接触电阻,最小值达到0.18Ω·mm,欧姆接触电极表面粗糙度降低到0.4nm。良好的欧姆接触形貌使GaN HEMT击穿电压提高了10%。通过加速电迁移实验,证明Ti/Al/Pd/Au金属体系可靠性满足工程化需要。 |
| 关 键 词： | 氮化镓高电子迁移率晶体管 低温合金 欧姆接触 |
A Novel Ohmic Contact Technology for GaN HEMTs |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |