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| 短沟道源极肖特基势垒SOI MOSFET研究 | |
| 作者单位： | ;1.江苏省专用集成电路设计重点实验室;2.南通大学 |
| 摘 要： | 随着MOSFET的特征尺寸的不断减小,短沟道效应越来越严重,阻碍了器件尺寸的进一步按比例缩小。如何有效地抑制短沟道效应已经成为当今的热门研究课题。本文提出了一种新型的SOI MOSFET结构,该结构漏极采用重掺杂的欧姆接触,源极采用肖特基接触。借助于SILVACO TCAD仿真工具,仿真出了该器件的各项性能参数,并与普通的SOI MOSFET进行对比研究,结果显示这种源极肖特基势垒SOI MOSFET能够更有效地抑制短沟道效应,且具有更大的输出电阻、更低的亚阈值电流和功耗。 |
| 关 键 词： | 金属氧化物半导体场效应晶体管 短沟道效应 肖特基势垒 |
Research on the Source Schottky Barrier SOI MOSFET |
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