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| 复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET研究 | |
| 作者单位： | ;1.安徽大学电子信息工程学院 |
| 摘 要： | 通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用MEDICI软件,针对薄膜双栅MOSFET,对四种复合型栅氧化层结构DIDG MOSFET(Dual insulator double gate MOSFET)进行了仿真。通过仿真可知:在复合型结构中,随着介电常数差值的增大,薄膜双栅器件的短沟道效应和热载流子效应得到更有效的抑制,同时击穿特性也得到改善。此外在亚阈值区中,亚阈值斜率也可以通过栅氧化层设计进行优化,复合型结构器件的亚阈值斜率更小,性能更优越。 |
| 关 键 词： | 复合型栅氧化层 复合型栅氧化层薄膜双栅金属氧化物半导体场效应晶体管 介电常数 阈值电压 电流模型 亚阈值斜率 短沟道效应 |
Study on Double Insulator Layers of Double Gate MOSFET |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |