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| 多指版图结构对纳米MOSFET阈值特性的影响分析 | |
| 作者单位： | ;1.河南科技大学电气工程学院 |
| 摘 要： | 针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。 |
| 关 键 词： | 多指栅金属氧化物半导体晶体管 版图结构 工艺波动 非线性回归 |
Impact Analysis of Multi-finger Layout Structures on Threshold Characteristics of Nanoscale MOSFETs |
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