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| 毫米波高性能收发多功能芯片 | |
| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 利用0.15μm GaAs PHEMT工艺,研制了一款集成功率放大器和低噪声放大器的毫米波多功能单片。发射支路功率放大器采用三级放大拓扑结构,在32~36GHz内,在6V工作电压下,线性增益23dB,增益平坦度优于±0.75dB,输入/输出驻波小于1.3,饱和输出功率30dBm,功率附加效率约30%。接收支路低噪声放大器采用三级放大拓扑结构,在5V、30mA工作电压下,在32~37GHz内,线性增益23.5dB,增益平坦度优于±1dB,噪声系数小于2.5dB,1dB压缩输出功率大于6dBm。该芯片面积为3.67mm×3.13mm。 |
| 关 键 词： | 砷化镓 功率放大器 低噪声放大器 毫米波 微波单片集成电路 收发多功能 |
Millimeter Wave High-performance T/R Multi-functional MMIC |
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| Keywords: | |