| MOVPE 生长 InGaN/GaN 单量子阱绿光LED |
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| 引用本文： | 王晓晖,刘祥林,陆大成,袁海荣,韩培德,汪度.MOVPE 生长 InGaN/GaN 单量子阱绿光LED[J].高技术通讯,2001,11(2):38-39. |
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| 作者姓名： | 王晓晖 刘祥林 陆大成 袁海荣 韩培德 汪度 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
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| 基金项目： | 86 3计划资助项目!(86 3 715 0 0 1 0 0 10 ) |
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| 摘 要： | 采用金属有机物气相外延（MOVPE）方法，生长出InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管（LED）。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电流的关系。室温正向偏置下，在20mA的注入电流时，发光波长峰值为530nm,半高宽为30nm。当注入电流小于40mA时，发光强度随注入电流的增大递增。这是中国国内首次研制出的InGaN单量子阱结构的绿光LED。
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| 关 键 词： | MOVPE InGaN 单量子阱 绿光LED 发光二极管 |
MOVPE Growth of InGaN/GaN Single Quantum Well Structures Green Light-emitting Diodes |
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| Wang Xiaohui,LIU Xianglin,Lu Dacheng,Yuan Hairong,HAN Peide,Wang Du.MOVPE Growth of InGaN/GaN Single Quantum Well Structures Green Light-emitting Diodes[J].High Technology Letters,2001,11(2):38-39. |
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| Authors: | Wang Xiaohui LIU Xianglin Lu Dacheng Yuan Hairong HAN Peide Wang Du |
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| Abstract: | InGaN green LEDs with single quantum well structures based on Ⅲ-Ⅴ nitrides ar e grown by MOVPE on sapphire substrates. The peak wavelength and the full width a t half-maximum(FWHM ) of the electroluminescence are 530nm and 30nm, respectiv ely. SQW green LEDs are fabricated successfully for the first time in China. |
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| Keywords: | MOVPE InGaN SQW Green LED |
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