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| 淀积条件对a-SiNx∶H薄膜中含氢基团的影响 | |
| 引用本文： | 朱永福 李牧菊 杨柏梁 刘传珍,廖燕平 袁剑锋 刘雅言 申德振.淀积条件对a-SiNx∶H薄膜中含氢基团的影响[J].液晶与显示,1999,14(4):EIII7. |
| 作者姓名： | 朱永福 李牧菊 杨柏梁 刘传珍 廖燕平 袁剑锋 刘雅言 申德振 |
| 作者单位： | ：朱永福， 男， 生于1970年，1995年毕业于吉林大学， 电子科学系半导体专业， 同年考入中国科学院长春物理研究所， 从师于黄锡珉研究员， 攻读硕士学位， 1998年， 免试推荐攻读博士学位， 从事TFT液晶显示器件研究工作。 |
| 摘 要： | 利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（PECVD）方法淀积的a-SiN |
| 文章编号： | 1007-2780(1999)04-0278-06 |
Influence of Deposition Conditions on H Contained Groups in a-SiNx |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |