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减小键合应力改进(GaAl)As可见光(740nm)激光器寿命
引用本文:T.Hayakawa ,刘维芳.减小键合应力改进(GaAl)As可见光(740nm)激光器寿命[J].半导体光电,1983(3).
作者姓名:T.Hayakawa  刘维芳
摘    要:业已证明将顶层和衬底厚度调整到一适当值,可减小因键合工艺而引起的有源层应力。激射波长为740nm的(GaAI)As V形沟道衬底内部条形激光器在50℃的寿命试验说明:采用厚顶层(~40μm)和减薄了的衬底(~80μm)使其寿命得到很大改进。

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