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温压-熔融渗硅法制备C/C-SiC摩擦材料及其摩擦磨损性能
引用本文:韩团辉,肖鹏,李专.温压-熔融渗硅法制备C/C-SiC摩擦材料及其摩擦磨损性能[J].中国有色金属学报,2010,20(7).
作者姓名:韩团辉  肖鹏  李专
作者单位:中南大学,粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083
基金项目:湖南省科技重大专项资助项目 
摘    要:以短切炭纤维、石墨粉、硅粉、树脂为原料,采用新开发的温压-熔融渗硅(WC-RMI)法制备C/C-SiC摩擦材料,对不同制动速度下材料的摩擦磨损性能进行研究,并对温压-熔融渗硅法的制备工艺过程进行理论分析。结果表明:C/C-SiC材料的密度可达1.78g/cm3,残留单质Si的含量为0.3%,摩擦因数为0.36~0.43,体积磨损量低至0.6×10-2cm3/MJ,且随着制动速度的增大,其磨损量迅速下降并趋于平稳;C/C-SiC材料在摩擦过程中能够形成光亮、平整、连续的摩擦膜,有效降低C/C-SiC材料的磨损量。

关 键 词:C/C-SiC摩擦材料  温压  熔融渗硅  摩擦磨损

Preparation and tribological properties of C/C-SiC composites by warm compacted-reactive melt infiltration process
HAN Tuan-hui,XIAO Peng,LI Zhuan.Preparation and tribological properties of C/C-SiC composites by warm compacted-reactive melt infiltration process[J].The Chinese Journal of Nonferrous Metals,2010,20(7).
Authors:HAN Tuan-hui  XIAO Peng  LI Zhuan
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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