基于腔模理论的圆盘传感器性能研究 |
| |
引用本文: | 詹花茂,杨宁,刘亚洲,郑书生,弓艳朋,杨圆.基于腔模理论的圆盘传感器性能研究[J].高电压技术,2016(4):1245-1251. |
| |
作者姓名: | 詹花茂 杨宁 刘亚洲 郑书生 弓艳朋 杨圆 |
| |
作者单位: | 华北电力大学高电压与电磁兼容北京市重点实验室;华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室;中国电力科学研究院 |
| |
基金项目: | 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB209405)~~ |
| |
摘 要: | 为了研究影响圆盘型UHF传感器性能的因素,本文基于腔模理论,采用XFdtd软件仿真研究了圆盘电极直径、介质基片厚度、介质基片介电常数、同轴馈源位置对传感器性能的影响;建立了基于GTEM小室的等效FDTD模型,采用频域有效高度对不同馈源位置的圆盘型UHF传感器的性能进行了评价。结果表明:圆盘电极直径、介质基片厚度和介质基片介电常数的增加会使传感器的频带向频率减小的方向移动;馈源位置对传感器谐振模式的影响明显,馈源位于ρ=a/4处的传感器较馈源位于ρ=0处的传感器,在300~800 MHz频段上的平均有效高度提高了约127%。
|
关 键 词: | 特高频传感器 局部放电 腔模理论 谐振模式 吉赫兹横电磁波小室 时域有限差分法 有效高度 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|