| 2～8 GHz微波单片可变增益低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 彭龙新,林金庭,魏同立,陈效建,刘军霞,贺文彪.2～8 GHz微波单片可变增益低噪声放大器[J].固体电子学研究与进展,2004,24(1):26-30,43,19. |
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| 作者姓名： | 彭龙新 林金庭 魏同立 陈效建 刘军霞 贺文彪 |
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| 作者单位： | 东南大学微电子中心,南京,210096;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;东南大学微电子中心,南京,210096;南京理工大学,南京,210094 |
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| 摘 要： | 报道了一种微波宽带 Ga As单片可变增益低噪声放大器芯片。该芯片采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5μm PHEMT标准工艺制作而成。工作频率范围为 2～ 8GHz,在零衰减时 ,整个带内增益大于 2 5d B,噪声系数最大为 3 .5 d B,增益平坦度小于± 0 .75 d B,输入驻波小于 2 .0 ,输出驻波小于 2 .5 ,输出功率大于 1 0d Bm。放大器增益可控大于 3 0 d B。实验发现 ,芯片具有良好的温度特性。该芯片面积为 3 .6mm× 2 .2 mm。
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| 关 键 词： | 微波单片集成电路 低噪声 可变增益 赝配高电子迁移率晶体管 |
| 文章编号： | 1000-3819(2004)01-026-05 |
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