| 退火对不同基底上氧化钒薄膜电阻的影响 |
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| 引用本文： | 张鹏,路远,乔亚.退火对不同基底上氧化钒薄膜电阻的影响[J].半导体光电,2012,33(6):850-852,905. |
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| 作者姓名： | 张鹏 路远 乔亚 |
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| 作者单位： | 解放军电子工程学院脉冲功率激光技术国家重点实验室,合肥,230037;解放军电子工程学院脉冲功率激光技术国家重点实验室,合肥,230037;解放军电子工程学院脉冲功率激光技术国家重点实验室,合肥,230037 |
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| 基金项目： | 安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金项目（2010A001004D）. |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射的方法分别在普通玻璃与硅片上制备了氧化钒薄膜,在大气及真空氛围下分别对样品采取了退火处理,测量了退火前后薄膜的电阻,结合样品的XRD图谱进行了分析。结果表明,在普通玻璃和硅片上均得到了V2O5薄膜。经过大气氛围退火处理后,薄膜的结晶度明显增强,硅片上薄膜的电阻明显变小,而玻璃基底上的薄膜电阻变化则不明显。在温度升高的过程中,Si片上薄膜电阻变化范围为56～0.54MΩ。而经过真空退火处理的薄膜其电阻均发生改变,升温过程中,玻璃基底与Si片上薄膜的电阻变化范围分别为52～16MΩ、4.3～0.46MΩ,说明经过退火后硅片上沉积的薄膜具有较好的电学性能。
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| 关 键 词： | 直流磁控溅射 氧化钒薄膜 退火 |
| 收稿时间： | 7/9/2012 12:00:00 AM |
Effects of Annealing on Resistor of Vanadium Oxide Thin Films Prepared on Different Substrates |
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| ZHANG Peng,LU Yuan and QIAO Ya.Effects of Annealing on Resistor of Vanadium Oxide Thin Films Prepared on Different Substrates[J].Semiconductor Optoelectronics,2012,33(6):850-852,905. |
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| Authors: | ZHANG Peng LU Yuan and QIAO Ya |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Pulsed Power Laser Technology, PLA Electronic Engineering Institute, Hefei 230037, CHN;State Key Laboratory of Pulsed Power Laser Technology, PLA Electronic Engineering Institute, Hefei 230037, CHN;State Key Laboratory of Pulsed Power Laser Technology, PLA Electronic Engineering Institute, Hefei 230037, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | DC magnetron sputtering vanadium oxide thin film annealing |
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