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P型硅衬底异质结太阳电池的优化设计
引用本文:汪骏康,徐静平.P型硅衬底异质结太阳电池的优化设计[J].半导体光电,2012,33(6):799-804,808.
作者姓名:汪骏康  徐静平
作者单位:华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074;华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074
摘    要:采用Afors-het软件模拟分析了结构为TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(p+)/Ag的p型硅衬底异质结太阳电池的性能,研究了各层厚度、带隙、掺杂浓度以及界面态密度等结构参数和物理参数对电池性能的影响。通过模拟优化,结合理论分析和实际工艺,得到合适的各结构参数取值。采用厚度薄且掺杂高的窗口层,嵌入本征层以钝化异质结界面缺陷,合理利用背场对于少子的背反作用,获得了较佳的太阳电池综合性能:开路电压Voc为678.9mV、短路电流密度Jsc为38.33mA/cm2、填充因子FF为84.05%、转换效率η为21.87%。

关 键 词:异质结太阳电池  窗口层  本征层  背场
收稿时间:7/9/2012 12:00:00 AM

Design Optimization of Heterojunction Solar Cells on p-type Silicon Substrates
WANG Junkang and XU Jingping.Design Optimization of Heterojunction Solar Cells on p-type Silicon Substrates[J].Semiconductor Optoelectronics,2012,33(6):799-804,808.
Authors:WANG Junkang and XU Jingping
Affiliation:Department of Electronic Science & Technology, Huazhong University of Science & Tecnology, Wuhan 430074,CHN;Department of Electronic Science & Technology, Huazhong University of Science & Tecnology, Wuhan 430074,CHN
Abstract:
Keywords:heterojunction solar cells  window layer  intrinsic layer  back surface field
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