| Si衬底上采用溅射Fe/Si纳米多层结构制备β-FeSi2薄膜 |
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| 引用本文： | 时利涛,黄仕华.Si衬底上采用溅射Fe/Si纳米多层结构制备β-FeSi2薄膜[J].半导体光电,2012,33(6):846-849. |
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| 作者姓名： | 时利涛 黄仕华 |
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| 作者单位： | 浙江师范大学材料物理系,浙江金华,321004;浙江师范大学材料物理系,浙江金华,321004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（61076055）；金华科技计划项目（2009-01-141）；复旦大学应用表面物理国家重点实验室开放课题（KL2011_04）． |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射的方法在Si衬底上生长Fe/Si多层膜,退火后形成了硅化物薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Raman光谱、原子力显微镜(AFM)研究了Fe/Si膜厚比和退火温度对薄膜结构特性的影响。研究表明,当Fe/Si膜厚比为1/2,预先在衬底上沉积Fe缓冲层,退火温度为750℃,形成的硅化物为β-FeSi2,晶粒的平均尺寸大约为50nm,且分布得比较均匀。如果Fe/Si厚度比为1/1或3/10时,形成的硅化物为ε-FeSi。随着退火温度的升高,Fe/Si之间的相互扩散逐渐增强,当退火温度为1 000℃时,形成了富硅的二硅化物的高温相α-FeSi2。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 β-FeSi2 膜厚比 |
| 收稿时间： | 5/2/2012 12:00:00 AM |
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