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AlGaN/GaN high electron mobility transistors with selective area grown p-GaN gates
Authors:Huang Yuliang  Zhang Lian  Cheng Zhe  Zhang Yun  Ai Yujie  Zhao Yongbing  Lu Hongxi
Affiliation:Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
Abstract:
Keywords:AlGaN/GaN  selective area growth  normally off  HEMT
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