5公分中功率高效率高稳定度FET振荡器

我们研制了一种普通封装的GaAs FET 和高Q介质谐振器的共漏振荡器。这种共漏振荡器采用FET沟道反向的办法,利用自身的栅源电容构成反馈电路,省去了复杂的外反馈网络;还采用了高Q介质谐振器作成反射型的稳频电路,解决了频率稳定度的问题。这种振荡器结构简单、调试方便,在4～6GHz范围内输出功率大于300mw,效率超过30％,机械调谱带宽大于100MHz;在-40～+70℃温度范围内,频漂小于±O.6MHz,频温系数为2×lO~6/l℃。