|
|||||
|
|
| MOSFET模型及其参数提取(上) | |
| 作者姓名： | 唐金科 阮刚 |
| 作者单位： | 兰州大学，复旦大学 |
| 摘 要： | 一、引言晶体管模型及其模型参数的精度对电子电路计算机辅助设计和分析(CAD和CAA)的结果影响很大.对双极结型晶体管(BJT),已有了分级EM模型和GP模型,模型参数的测定方法也较完善.对MOS场效应晶体管(MOSFET),迄今用于CAD和CAA的模型还很不完整,还不能模拟全部工作区(亚阈、线性、饱和、击穿)的特性.用户较多的SPICE电路分析程序用的MOSFET模型是具有一定精度的较实用的模 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |