| MSM型氮化镓紫外探测器研究 |
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| 引用本文： | 姜文海,陈辰,周建军,李忠辉,郑惟彬,董逊. MSM型氮化镓紫外探测器研究[J]. 光电子技术, 2009, 29(1) |
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| 作者姓名： | 姜文海 陈辰 周建军 李忠辉 郑惟彬 董逊 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016 |
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| 摘 要： | 以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属一半导体一金属型的紫外光电探测器.材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料.器件在362 nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103.通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行测试,结果表明肖特基结具有较理想的特性,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了讨论分析.
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| 关 键 词： | 紫外探测器 可见盲 宽带隙 |
A Study of GaN Metal-semiconductor-metal UV Photodetectors |
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| Jiang Wenhai,Chen Chen,Zhou Jianjun,Li Zhonghui,Zheng Weibin,Dong Xun. A Study of GaN Metal-semiconductor-metal UV Photodetectors[J]. Optoelectronic Technology, 2009, 29(1) |
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| Authors: | Jiang Wenhai Chen Chen Zhou Jianjun Li Zhonghui Zheng Weibin Dong Xun |
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| Affiliation: | Jiang Wenhai,Chen Chen,Zhou Jianjun,Li Zhonghui,Zheng Weibin,Dong Xun(National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing 210016,CHN) |
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| Abstract: | A metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector was fabricated on wide bandgap undoped n-GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD).The device is visible blind,with an ultraviolet/green contrast of near three orders of magnitude.The detector exhibits a sharp cut-off at 362 nm wavelength with peak responsivity of 0.71 A/W at bias of 1.5 V.We measure Schottky junction through breakdown other side of the Schottky junction,and analyze working mode and design optimization of this device. |
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| Keywords: | UV photodetector visible blind wide bandgap |
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