| InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性 |
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| 引用本文： | 钱家骏,叶小玲,陈涌海,徐波,韩勤,王占国.InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性[J].半导体学报,2005,26(13):184-188. |
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| 作者姓名： | 钱家骏 叶小玲 陈涌海 徐波 韩勤 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 半导体材料重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 光电子工艺中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料重点实验室，北京 100083 |
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| 摘 要： | 利用固态源分子束外延技术，按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点（QD）微结构材料. 用这种QD材料制成的激光器，内光学损耗为2.1cm-1，透明电流密度为15±10 A/cm2. 对于条宽100μm，腔长2.4mm的激光器（腔面未经镀膜处理），室温下基态激射的波长为108μm，阈值电流密度为144A/cm2，连续波光功率输出达2.67W（双面），外量子效率为63%，特征温度为320K. 研究了QD激光器翟激射特性，并对结果作了讨论.
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| 关 键 词： | 应变自组装量子点 InAs/GaAs多层堆垛量子点 量子点激光器 MBE生长 |
Lasing Characteristics of InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers with Multistacked Dot Layer |
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| Qian Jiajun,Ye Xiaoling,Chen Yonghai,Xu Bo,Han Qin and Wang Zhanguo.Lasing Characteristics of InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers with Multistacked Dot Layer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(13):184-188. |
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| Authors: | Qian Jiajun Ye Xiaoling Chen Yonghai Xu Bo Han Qin and Wang Zhanguo |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083, China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083, China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083, China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083, China;National Research Center for Optoelectronic Technology,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083, China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | strained self-organized quantum dots InAs/GaAs multistacked layer quantum dots quantum dot lasers molecular beam epitaxy |
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