| InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性 |
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| 作者姓名： | 钱家骏 叶小玲 陈涌海 徐波 韩勤 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 半导体材料重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 光电子工艺中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料重点实验室,北京 100083 |
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| 摘 要： | 利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点（QD）微结构材料. 用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15±10 A/cm2. 对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器（腔面未经镀膜处理）,室温下基态激射的波长为108μm,阈值电流密度为144A/cm2,连续波光功率输出达2.67W（双面）,外量子效率为63%,特征温度为320K. 研究了QD激光器翟激射特性,并对结果作了讨论.
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| 关 键 词： | 应变自组装量子点 InAs/GaAs多层堆垛量子点 量子点激光器 MBE生长 |
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