| 808nm大功率准连续LD阵列 |
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| 引用本文： | 刘刚明,武斌. 808nm大功率准连续LD阵列[J]. 半导体光电, 2004, 25(6): 454-455,458 |
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| 作者姓名： | 刘刚明 武斌 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 采用单量子阱光电分别限制异质结(InGaAsP/GaAs)结构,研制了一种电致冷的大功率准连续激光器阵列,对器件的几个主要参数进行了理论分析.实验结果表明,器件峰值波长为807.6 nm,光谱半宽为3 nm,工作电流为98.7 A时,输出功率达到1 000 W(10个Bar,占空比为2%).
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| 关 键 词： | 半导体激光器阵列 单量子阱分别限制 大功率 准连续 |
| 文章编号： | 1001-5868(2004)06-0454-02 |
808 nm QCW High Power LD Arrays |
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| LIU Gang-ming,WU Bin. 808 nm QCW High Power LD Arrays[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2004, 25(6): 454-455,458 |
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| Authors: | LIU Gang-ming WU Bin |
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| Abstract: | A QCW SQW-SCH semiconductor laser with thermoelectric cooler is developed. Analysis is made on some critical factors affecting the performances of the laser. The experimental results show that the output power attains to 1 000 W(2% duty cycle) for FWHM<3 nm at the driving current of 98.7 A and the laser peak wavelength of 807.6 nm. |
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| Keywords: | semiconductor laser array SQW-SCH high power QCW |
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