| 0.5um砷化镓pHMET工艺之低功耗2.5-5GHz低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 彭洋洋,陆科杰,隋文泉.0.5um砷化镓pHMET工艺之低功耗2.5-5GHz低噪声放大器[J].半导体学报,2012,33(10):105001-4. |
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| 作者姓名： | 彭洋洋 陆科杰 隋文泉 |
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| 作者单位： | Nanoelectronic Platform, Zhejiang-California Nanosystems Institute, Zhejiang University, Hangzhou 310029, China;Nanoelectronic Platform, Zhejiang-California Nanosystems Institute, Zhejiang University, Hangzhou 310029, China;Nanoelectronic Platform, Zhejiang-California Nanosystems Institute, Zhejiang University, Hangzhou 310029, China |
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| 摘 要： | 本文利用0.5um砷化镓pHMET工艺设计并制造工作于2.5-5GHz的单片微波集成低噪声放大器。为了达到高的带宽，本文利用的宽带匹配及负反馈的技术。测试结果显示，在2.5-5GHz频率范围内，该放大器有最小2.4dB的噪声系数及17dB的增益，输入输出回波损耗均小于-10dB，并且功耗只有33mW。据作者所知，本文是0.5um pHEMT工艺下在相近的产品中具有最小的功耗。
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| 关 键 词： | 低噪声放大器，S波段，单片微波集成电路 |
| 收稿时间： | 8/26/2011 3:43:32 PM |
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