| p^＋—n^——n结的势垒分布 |
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| 引用本文： | 赵普琴 李桂英 等. p^＋—n^——n结的势垒分布[J]. 液晶与显示, 2001, 16(1): 48-51 |
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| 作者姓名： | 赵普琴 李桂英 等 |
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| 作者单位： | [1]北京师范大学分析测试中心，北京100875 [2]中国科学院半导体材料科学开放实验室，北京100083 |
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| 摘 要： | GaP:N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。根据载流子分布的连续性，由泊松方程自治求解，得出了半导体n^--n结势垒分布的计算方法。在此基础上，计入n^-区内的电位降，计算了商用光二极管p^ -n^--n结构的势垒分布，为整体结构的参数优化准备了必要的条件。
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| 关 键 词： | 发光二级管 势垒 掺氮磷化镓 P－N结 |
| 文章编号： | 1007-2780(2001)01-0048-04 |
| 修稿时间： | 2000-11-23 |
Barrier Distribution of ap+-n--n Junction |
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| ZHAO Pu-qin. Barrier Distribution of ap+-n--n Junction[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2001, 16(1): 48-51 |
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| Authors: | ZHAO Pu-qin |
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