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| 提高硅纳米墙光电器件背部欧姆接触的超声修饰方法 | |
| 引用本文： | 周平华,徐飞,杜汇伟,杨洁,石建伟,马忠权.提高硅纳米墙光电器件背部欧姆接触的超声修饰方法[J].光电子技术,2013,33(4):274. |
| 作者姓名： | 周平华 徐飞 杜汇伟 杨洁 石建伟 马忠权 |
| 作者单位： | 周平华:上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室, 上海 200444 徐飞:上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室, 上海 200444 杜汇伟:上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室, 上海 200444 杨洁:上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室, 上海 200444 石建伟:上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室, 上海 200444 马忠权:上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室, 上海 200444 |
| 摘 要： | 提供了一种硅纳米墙结构器件的背面电极接触改善方法。通过利用超声的方法修饰金属催化法制备的硅纳米墙结构,并制备了AZO／硅纳米墙异质结光电器件。研究发现超声波可以对金属催化法制备的纳米硅墙进行单面修饰,与未经超声修饰的样品制备的器件相比,超声修饰能够改善硅纳米墙器件的背面电极欧姆接触,2 min的超声修饰可以将器件的串联电阻从587 Ω下降到082 Ω,填充因子提高86％,光电转换效率提高762％,提高了光电器件的载流子收集效率。 |
| 关 键 词： | 超声修饰 金属催化法 硅纳米墙 欧姆接触 |
| 收稿时间： | 2013/4/15 |
An Approach of Ultrasonic Modification to Improve Back Ohmic Contact of Silicon Nano-wall Optoelectronic Device |
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| Abstract: | |
| Keywords: | ultrasonic modify metal assisted etching silicon nano-wall ohmic contact |