提高硅纳米墙光电器件背部欧姆接触的超声修饰方法 |
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引用本文: | 周平华,徐飞,杜汇伟,杨洁,石建伟,马忠权. 提高硅纳米墙光电器件背部欧姆接触的超声修饰方法[J]. 光电子技术, 2013, 33(4): 274 |
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作者姓名: | 周平华 徐飞 杜汇伟 杨洁 石建伟 马忠权 |
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作者单位: | 周平华:上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室, 上海 200444 徐飞:上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室, 上海 200444 杜汇伟:上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室, 上海 200444 杨洁:上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室, 上海 200444 石建伟:上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室, 上海 200444 马忠权:上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室, 上海 200444
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摘 要: | 提供了一种硅纳米墙结构器件的背面电极接触改善方法。通过利用超声的方法修饰金属催化法制备的硅纳米墙结构,并制备了AZO/硅纳米墙异质结光电器件。研究发现超声波可以对金属催化法制备的纳米硅墙进行单面修饰,与未经超声修饰的样品制备的器件相比,超声修饰能够改善硅纳米墙器件的背面电极欧姆接触,2 min的超声修饰可以将器件的串联电阻从587 Ω下降到082 Ω,填充因子提高86%,光电转换效率提高762%,提高了光电器件的载流子收集效率。
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关 键 词: | 超声修饰 金属催化法 硅纳米墙 欧姆接触 |
收稿时间: | 2013-04-15 |
An Approach of Ultrasonic Modification to Improve Back Ohmic Contact of Silicon Nano-wall Optoelectronic Device |
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Abstract: | |
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Keywords: | ultrasonic modify metal assisted etching silicon nano-wall ohmic contact |
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