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| SiGe／Si量子阱结构材料的激子发光谱 | |
| 引用本文： | 黄大鸣,杨敏,盛篪,卢学坤,龚大卫,张翔九,王迅.SiGe／Si量子阱结构材料的激子发光谱[J].半导体学报,1994,15(3):213-216. |
| 作者姓名： | 黄大鸣 杨敏 盛篪 卢学坤 龚大卫 张翔九 王迅 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室，复旦大学李政道物理学综合实验室 |
| 摘 要： | 在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并与通过Ｘ－射线衍射谱得到的结果作了比较，发现在Ｇｅ的组份比较小时，利用激子发光峰位能量确定合金组份比利用Ｘ－射线衍射谱更为方便和精确． |
| 关 键 词： | SiGe／Si 量子阱 激子 发光谱 |
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