| 低温生长硅基碳化硅薄膜研究 |
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| 引用本文： | 叶志镇,王亚东,黄靖云,季振国,赵炳辉.低温生长硅基碳化硅薄膜研究[J].真空科学与技术学报,2002,22(1):58-60. |
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| 作者姓名： | 叶志镇 王亚东 黄靖云 季振国 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学微系统研究与开发中心,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助课题 (No .696860 0 2 ) |
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| 摘 要： | 在 8 5 0℃的低温下 ,在Si( 10 0 )衬底上生长了 3C SiC薄膜 ,气源为SiH4和C2 H4混合气体。用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱分析了薄膜的晶体结构、组分以及键能随深度的变化。研究表明薄膜为富硅的 3C SiC结晶层 ,其中的Si/C比约为 1 2。
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| 关 键 词： | SiC薄膜 低温 硅基片 |
| 文章编号： | 0253-9748(2002)01-0058-03 |
| 修稿时间： | 2001年2月26日 |
SiC Films Grown on Si at Low Temperatures |
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| Ye Zhizhen,Wang Yadong,Huang Jingyun,Ji Zhenguo,Zhao Binghui.SiC Films Grown on Si at Low Temperatures[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2002,22(1):58-60. |
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| Authors: | Ye Zhizhen Wang Yadong Huang Jingyun Ji Zhenguo Zhao Binghui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC film Low temperature Si substrate |
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