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射频磁控溅射制备(Pb,La)TiO3薄膜的结晶性能与铁电畴初步研究
引用本文:吴家刚,刘洪,蒲朝晖,肖定全,朱基亮,朱建国.射频磁控溅射制备(Pb,La)TiO3薄膜的结晶性能与铁电畴初步研究[J].真空科学与技术学报,2006,26(2):102-105.
作者姓名:吴家刚  刘洪  蒲朝晖  肖定全  朱基亮  朱建国
作者单位:四川大学材料科学系,成都,610064
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划);中国科学院资助项目
摘    要:采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底制备了(Pb,La)TiO3(简记为PLT)铁电薄膜.利用XRD对PLT薄膜的结晶性能进行了研究.实验结果表明,在一定的制备工艺条件下,可以制备出完全钙钛相的PLT铁电薄膜.PLT铁电薄膜的结晶性能与溅射的工作气压、氧氩比、退火温度等关系密切;PFM表明PLT薄膜的电畴具有180°结构.

关 键 词:铁电薄膜  电畴
文章编号:1672-7126(2006)02-0102-04
收稿时间:2005-04-22
修稿时间:2005年4月22日

Preliminary Study of Ferroelectric Domains of (Pb,La)TiO3 Films Grown by RF Magnetron Sputtering
Wu Jiagang,Liu Hong,Pu Zhaohui,Xiao Dingquan,Zhu Jiliang,Zhu Jianguo.Preliminary Study of Ferroelectric Domains of (Pb,La)TiO3 Films Grown by RF Magnetron Sputtering[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2006,26(2):102-105.
Authors:Wu Jiagang  Liu Hong  Pu Zhaohui  Xiao Dingquan  Zhu Jiliang  Zhu Jianguo
Abstract:
Keywords:PLT  PFM
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