两次硼注入短沟道MOSFET

本文给出了用于高速逻辑电路的两次硼离子注入 n 沟增强型 MOS EFT 器件的阈值电压和电流一电压特性。衬底采用 P 型(100)15Ω cm 的高阻材料,以降低结电容和阈值衬底敏感度。用浅的硼注入来提高阈值电压,之后,再进行一次较深的离子注入,以提高源—漏之间的穿通电压。这种方案特别有利于制作短沟道器件。我们对两次离子注入的器件进行了一维分析,以估测离子注入的剂量和能量对器件阈值电压的影响,同时我们还根据器件的几何尺寸进行了准二维分析,来了解器件的短沟道效应。为了得出电流一电压特性,一维分析用于线性区,而以泊松方程解为基础的准二维分析用于夹断区,以估测空间电荷限制电流。计算结果与实验室试制器件的特性非常符合。