| 烧结温度对CaCu3Ti4O12陶瓷C波段介电性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 李凡,朱冬梅,罗发,周万城.烧结温度对CaCu3Ti4O12陶瓷C波段介电性能的影响[J].热加工工艺,2012,41(6):7-9. |
| |
| 作者姓名： | 李凡 朱冬梅 罗发 周万城 |
| |
| 作者单位： | 西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室,陕西西安,710072 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，凝固技术国家重点实验室自主研究课题资助项目 |
| |
| 摘 要： | 采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷,研究了烧结温度对CCTO晶相、微观形貌、致密度以及在C波段(3.95～5.85 GHz)的介电性能的影响。结果表明,在1040℃烧结的试样除了含有CCTO,还存在部分没有反应的TiO2。随着烧结温度的升高,TiO2逐渐消失。与1040℃和1060℃烧结的试样相比,在1080℃烧结的试样晶粒尺寸较大且粒径较均匀,而在1100℃烧结的试样有明显的熔化现象。试样的密度随烧结温度的升高而增加,在1080℃时达到最大值。在1040～1080℃烧结的试样,其介电常数随着烧结温度的升高而增加,而在1100℃烧结的试样的介电常数反而有所降低。不同烧结温度下的CCTO陶瓷的介电常数和介电损耗随频率的增大变化不大。在所得的试样中,在1080℃烧结的CCTO陶瓷介电常数最高,介电损耗最低。
|
| 关 键 词： | 固相反应法 CaCu3Ti4O12陶瓷 介电性能 |
Effects of Sintering Temperature on C Band Dielectric Properties of CaCu3Ti4O12 Ceramics |
| |
| LI Fan
,
ZHU Dongmei
,
LUO Fa
,
ZHOU Wancheng.Effects of Sintering Temperature on C Band Dielectric Properties of CaCu3Ti4O12 Ceramics[J].Hot Working Technology,2012,41(6):7-9. |
| |
| Authors: | LI Fan ZHU Dongmei LUO Fa ZHOU Wancheng |
| |
| Affiliation: | (State Key Laboratory of Solidification Processing,Materials Science and Engineering,Northwestern Polytechnic University,Xi’an 710072,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
